5月27日下午，根据上海证券交易所公告，长鑫科技科创板IPO获上市委会议通过。这家被视为“中国版SK海力士”的存储芯片龙头企业，正携295亿元的拟募资规模，站在资本市场的聚光灯下。
在全球半导体产业深刻变革的当下，中国存储芯片势力正在向由三星电子、SK海力士、美光科技三巨头主导的全球存储俱乐部迈进。
步入主要厂商阵营
长鑫科技是我国规模领先、技术先进、布局完善的DRAM（动态随机存储器芯片）研发设计制造一体化企业之一。本次IPO拟募集资金总额为295亿元，成为科创板史上仅次于中芯国际的第二大IPO。
招股书介绍，长鑫科技自2016年成立以来，突破了DRAM关键核心技术并顺利实现产品自主研发、设计和商业化量产，填补了中国大陆DRAM产品在全球市场上的空白。根据Omdia的数据，按照产能、出货量和销售额统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
招股书披露，长鑫科技正逐步进入主要厂商阵营，按照2025年第四季度DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至7.67%。
中国虽然是全球主要DRAM消费市场，但本土品牌DRAM产品自给率仍较低。随着人工智能快速发展，相关基础设施投资高速增加，DRAM的市场需求呈现爆发式增长，本土存储公司加快发展，龙头企业资本化进程提速。
国产存储追赶技术浪潮
市场咨询机构Gartner今年4月发布研究报告，提出“存储通胀”的概念，预测全球DRAM年度价格将上涨125%，NAND闪存价格将同比提升234%。今年一季度涨势延续。根据Counterpoint Research数据，2026年一季度DRAM价格环比上涨了80%，创下历史新高，预计二季度DRAM价格将进一步上涨。
市场需求带动公司业绩上涨。SK海力士今年一季度营业利润同比增长405%，三星电子营收、营业利润均创下季度历史新高。
长鑫科技同样迎头赶上。今年一季度，长鑫科技实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；归母净利润247.62亿元，同比大幅扭亏为盈。长鑫科技预计，公司今年上半年净利润为500亿元至570亿元，该数字超过了公司过去十年的累积亏损。招股书披露，截至2025年12月31日，长鑫科技累计亏损为366.5亿元。
长鑫科技在招股书中指出，公司产能规模仍远低于国内庞大的市场需求，随着上市募集资金建设项目的稳步推进，公司将加速工艺升级，从而实现更低的单位成本，获得更强的市场竞争力及盈利能力，满足未来全球下游市场旺盛的需求。
“跳代研发”缩小技术差距
公司采取“跳代研发”的策略，从公司成立起不做低端、落后制程，直接在2019年推出自主设计生产的8Gb DDR4芯片，实现了中国大陆DRAM产业“从0到1”的突破。随后在2024年、2025年，长鑫科技DDR5、LPDDR5X产品相继量产。如今已完成DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代。
长鑫科技主要产品正加速渗透下游市场。招股书显示，目前DDR5向服务器、个人电脑等下游市场覆盖；LPDDR4X芯片兼具大容量、高速率、高带宽和低功耗的特点，目前已进入小米、OPPO、vivo、传音、联想等主流厂商供应链；LPDDR5/5X具有高安全性，能实时纠错，减少系统故障。
国金证券电子首席分析师樊志远指出，长鑫科技与全球DRAM存储龙头技术节点差距逐渐缩小。公司技术迭代速度显著加快，2025年10月推出的LPDDR5X最高速率达10667Mbps，性能指标已对标国际主流水平。
长鑫科技已计划投资345亿元用于研发和扩产，其中75亿元用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目，180亿元用于DRAM存储器技术升级项目，90亿元用于动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。
樊志远认为，存储芯片架构正经历从2D向3D的深层次变革，未来，存储芯片制造工艺中对高深宽比刻蚀及先进薄膜沉积的要求呈指数级提升，关键设备厂商也将深度受益于工艺复杂度提升带来的红利。
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